异质结电池采用本征非晶硅薄膜作为钝化层，且减少了金属接触区少子的损失，具有更高的开路电压(超过750mV)，更高的转换效率(>25%)，采用双面微晶可以进一步提升薄膜掺杂效率及其透过率，提升电流密度，从而提升转换效率超过25.2%。

异质结电池制程流程简单、制程温度低、天然双面对称结构无应力，硅片更易薄片化(<120um)，结合SMBB、0BB等技术进一步提升效率、降低成本。

异质结电池采用N型硅片，不存在P型硅片的B-O键，无传统电池的LID效应:异质结电池采用TCO薄膜作为减反射和保护层，具有良好的导电性能，不存在电荷聚集产生极化现象，无PID效应。

相对传统电池，异质结电池的温度系数更低(-0.26%/C)，在高温条件下发电量更稳定，同样功率组件，异质结电池日发电量比PERC多6%，比Topcon多3%。

异质结电池具有天然的双面对称结构，双面率超过95%，能够更好适应不同应用场景，提升发电量。

异质结电池制成流程简单、制成温度低、转换效率高、易于薄片化，能够降低能源消耗，降低碳排放，比PERC和TOPCon电池具有更低的碳足迹。